氮化铝‌：氮化铝在高功率、高频场景中表现出卓越的导热性能（热导率约230 W/(m·K)），同时具备优异的绝缘性和化学稳定性。这使其成为5G基站等高功率半导体器件的理想散热基板材料，能有效降低芯片结温30%以上，延长设备寿命。随着国产化技术突破，氮化铝的生产成本正在下降，在5G基站建设中需求强劲，正逐步取代氧化铝在高端市场的地位。‌

‌氮化硼‌：氮化硼（尤其是六方氮化硼）的热导率更高（可达300 W/(m·K)），但其主要优势在于片状结构能形成高效的导热通路。然而，氮化硼的成本高，且加工难度大，目前尚未在基站等大规模工业场景中形成成熟供应链。‌

‌氧化铝‌：氧化铝因成本低廉、工艺成熟，仍主导中低端基站市场，但其导热系数较低，难以满足高功率基站的散热需求。基站作为高功率应用，对散热材料的性能要求较高，氮化铝的综合性能（如高温稳定性、可靠性）更贴合这一需求。‌

  因此，从技术适配性和市场趋势看，氮化铝是氧化铝在基站领域的主要替代者。未来，随着氮化铝工艺优化和成本进一步降低，其在基站中的渗透率有望持续提升。除此之外，碳化硅、氮化硅、氧化铍等材料在基站中的应用潜力也正处于开发阶段。